放射線取扱主任者試験は
合格率が20％という難易度ですので、
効率よく学習していかないといけません。
合格体験などを見てみると、
問題集を3周と書いてあるものが多く、
私も同意見です。
最初は、参考書などでじっくりやって、
2回目、3回目になるにつれてスピードアップしていく感じになります。
私なりのメモをご紹介いたしますので、
参考にしてみてください。
１から10
2016問1
B 18F D 44Sc
2016問2
11C 20分 13N 10分 15O 2分 18F 110分 68Ga 68分
2016問3
N2=λ1/（λ2-λ1）・N0（e-λ1t-e-λ2t）より
λ2N2=λ1/（λ2-λ1）・λ2N0（e-λ1t-e-λ2t）
λ2N0＝10＾9 λ＝0.693/T1 ×10＾9なので、N0＝1/0.693 ×10＾9
λ2N2=0.693/（0.0693-0.693）×0.693/10×1/0.693×10＾9（（1/2）10＾-（1/2））
＝55.4444×10＾6≒55.4［MBｑ］
2016問4
1 小さい 2 β+ 3 特性X線 4特性X線
2016問5
A＝A0（1/2）t/T
A/A0＝（1/2）t/T
1/1000＝（1/2）t/T……………………①
1/4000＝（1/2）t/T
①より,1/4000＝（1/1000）ｘ
∴1/4×10＾-3＝10＾-3ｘ
X≒1.2
2016問6
λ＝0.693/T＝0.693/（4.4×10＾17）
N=900/232×6.02×10＾23
-(dN/dt)=λNより
≒3.678×10＾6Bq
2016問7
C6H4（OCO14CH3）COOH＋H2O → C6H4（OH）COOH＋14CH3COOH
100×180/60＝300［kBq・ｇ－1］
2016問8
5 ABCDすべて
2016問9
B 200MeV D 過剰
2016問10
A=fσN(1 – e-λt)
A=fσN((1/Ｍ）・6.02×10＾23(1 – e-λt)
11から20
2016問11
3H 6Li（n,α）3H ＊
32P 31P（n,γ）32P
32S（n,p）32P ＊
35S 35Cl（n,p）35S ＊
34S（n,γ）35S
＊ 無担体として製造される反応。
2016問12
D 99mTc
2016問13
1.0モル（0.5×2） 15気圧（10×1.5／1.0）
2016問14
5 ABCDすべて
2016問15
A テクネチウム B 12.3年
2016問16
1 主に二次宇宙線と窒素との核反応 2減少 4 ベータ線ではなく、14Cそのものの個数を計測する。 5動植物が死んだ（14Cの取込みを止めた）時点からの年代
2016問17
1／X＝1／a＋1／b a＝10分, b＝40分 8分
2016問18
5 252Cf
2016問19
A 0.0186 MeVと1.711 MeVで, 計数効率は等しくない。 B×
2016問20
A Na2CO3 B NaHCO3＋HCl → NaCl＋CO2＋H2O C NaHCO3＋CH3COOH → CH3COONa＋CO2＋H2O
21から30
2016問21
A 吸着する B 吸着する。D 吸着する
2016問22
A：Pb2＋＋2Cl− → PbCl2（白色沈殿）
B：Pb2＋＋SO42− → PbSO4（白色沈殿）
C：Pb2＋＋2OH− → Pb（OH）2（白色沈殿）
D：Pb2＋＋2OH− → Pb（OH）2（白色沈殿）
2016問23
C×
2016問24
D均一ではない。
2016問25
480×20＝9600 Bq。 120＝9600／（x＋20） x＝60
2016問26
1 EC壊変による特性X線ではない。 2 主に陽子, 重陽子, 3He, 4Heが用いられる。 3× 4 5 ×
2016問27
A × B ×
2016問28
A β線 B 55FeX、241Amガンマ線 D 35Sはベータ線 E 中性子
2016問29
B LETは小さい D 2次荷電粒子
2016問30
A 酸化 D 酸化力
物化生3，4
2016物化生問3
〔答〕１ A－1 9.5×10＾─11 B－7 32 C－2 25 D－8 遠心分離 E－3 Cl- F－1 SO42－ G－1 H2S H-1 CuS I-5 Fe(OH)3
２ J－3 ジチゾン K－5 EDTA L－12 マスキング剤 M－13 ジイソプロピルエーテル N－1 カルボキシル基 O－3 第4級アンモニウム基 P -1 ラジオコロイド Q-2 220Rn R-3 212Bi S-4 208Tl
2016物化生問4
〔答〕１ A－2 keV B－11 線 C－1 蛍光X線 D－3 内殻空孔を生じた E－3 制動放射線
２ F-2 フルエンス率 G-4 nfσ-λN H－1 1−e−λT1 I－5 飽和係数 J－5 3/4 K－7 λT1 L－1 冷却
3 M -4 Ge半導体検出器 N-3 2.5×10＾─2 O-5 カドミウム P-3 即発γ線
４ Q－1 11C R－5 担体 S－7 同時 T-3 50
まとめ
現在の形式に合わせて物化生３，４を組み込んでおります。
